T/NXCL 003-2021-平面硅锗靶材-国家数字标准馆

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平面硅锗靶材

发布日期： 2021-11-11

实施日期： 2021-11-11

主要技术内容:本文件规定了大尺寸环形硅锗靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率、平面度和背板材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定

分类信息

发布单位或类别：中国-团体标准

CCS分类： H60/69冶金 - 有色金属及其合金产品

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：宁夏材料研究学会

起草单位：宁夏高创特能源科技有限公司、厦门大学、北方民族大学、宁夏大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、大工（青岛）新能源材料技木研究院有限公司

起草人：安百俊、罗学涛、盛旺、黄柳青、杨少林、吴建栋、卢辉、侯春平、马金福、杜江华、高忙忙、盛之林、顾燕滨、姜永庆、王黎光、芮阳、姜大川、郭校亮

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