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超高纯铟 Ultra high purity indium
发布日期: 2021-03-05
实施日期: 2021-07-01
本文件适用于以99.99%铟为原料,经过电解、真空蒸馏、直拉等工艺制备的纯度不低于99.99999%的超高纯铟。产品主要用于制作半导体化合物、高纯合金及半导体材料的掺杂剂等
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