IEC 60749-17:2019-半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射-国家数字标准馆

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Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射

发布日期： 2019-03-28

执行IEC 60749-17:20 19以确定半导体器件对非电离能损失(NIEL)退化的敏感性。本文描述的测试适用于集成电路和分立半导体器件，并且旨在用于军事和航空航天相关应用。这是一个破坏性的测试。
与上一版相比，此版本包括以下重大技术变更:

更新以更好地使测试方法与MIL-STD 883J方法1017保持一致，包括取消对文件使用的限制，以及限制总电离剂量的要求；
增加了参考书目，包括与本试验方法相关的美国MIL和ASTM标准。

IEC 60749-17:2019 is performed to determine the susceptibility of semiconductor devices to non-ionizing energy loss (NIEL) degradation. The test described herein is applicable to integrated circuits and discrete semiconductor devices and is intended for military- and aerospace-related applications. It is a destructive test.

This edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition:
updates to better align the test method with MIL-STD 883J, method 1017, including removal of restriction of use of the document, and a requirement to limit the total ionization dose;
addition of a Bibliography, including US MIL- and ASTM standards relevant to this test method.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际电工委员会

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位： TC 47

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