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现行 IEC 62373-1:2020
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Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
发布日期: 2020-07-15
IEC 62373-1:20 20提供了硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的快速BTI(偏置温度不稳定性)测试的测量程序。 本文件还定义了与常规BTI测试方法相关的术语。
IEC 62373-1:2020 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test of silicon based metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs).
This document also defines the terms pertaining to the conventional BTI test method.
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归口单位: TC 47
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