20210839-T-339-半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验-国家数字标准馆

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半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 Semiconductor devices - Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

下达日期： 2021-04-30

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准计划

CCS分类： L55电子元器件与信息技术 - 微电路 - 微电路综合

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人：恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷

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