GB/T 4937.19-2018-半导体器件　机械和气候试验方法　第19部分：芯片剪切强度-国家数字标准馆

现行 GB/T 4937.19-2018

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

选择购买版本本服务由中国标准服务网提供

电子版

中文(简体)/电子版加密PDF格式/约1分钟可下载/有水印/要装插件FileOpen/电脑需联网/限制累计3台电脑共打印5次

¥ 24

纸质版

中文(简体)/纸质版/约1个工作日发快递/无授权单位水印

¥ 24

前往中国标准服务网获取更多购买信息

半导体器件　机械和气候试验方法　第19部分：芯片剪切强度 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 19:Die shear strength

发布日期： 2018-09-17

实施日期： 2019-01-01

GB/T 4937 的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性（基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： L40电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市标准技术研究院

起草人：裴选、彭浩、高瑞鑫、高金环、马坤

相似标准/计划/法规

现行

UNE-EN 60749-19-2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -- Part 19: Die shear strength
半导体器件机械和气候试验方法第19部分:模具剪切强度

2003-11-21

现行

IEC 60749-19-2003+AMD1-2010 CSV

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模具剪切强度

2010-11-29

现行

IEC 60749-19-2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第19部分:模具剪切强度

2003-02-13

现行

KS C IEC 60749-19

반도체 소자 — 기계 및 기후적 시험방법— 제19부：다이 전단 강도
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第19部分:模具剪切强度

2020-11-20

现行

IEC 60749-19-2003/AMD1-2010

Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模具剪切强度

2010-07-28

现行

BS EN 60749-19-2003+A1-2010

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-Die shear strength
半导体器件机械和气候试验方法

2010-10-31

现行

KS C IEC 60749(2020 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법
半导体器件机械和气候试验方法

2004-08-13

现行

SJ/Z 9016-1987

半导体器件机械和气候试验方法
Semiconductor devices--Mechanical and climatic test methods

1987-09-14

现行

GOST 28578-1990

Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
半导体器件机械和气候试验方法

现行

KS C IEC 60749-10

반도체 소자 — 기계 및 기후적 환경 시험방법 — 제10부: 기계적 충격
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第10部分:机械冲击

2020-07-23

现行

UNE-EN 60749-10-2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -- Part 10: Mechanical shock.
半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击

2003-05-30

现行

BS EN 60749-21-2011

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-Solderability
半导体器件机械和气候试验方法

2011-08-31

现行

BS EN 60749-1-2003

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-General
半导体器件机械和气候试验方法

2003-07-07

现行

BS EN 60749-8-2003

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-Sealing
半导体器件机械和气候试验方法

2003-07-03

现行

IEC 60749-10-2022

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 10: Mechanical shock - device and subassembly
半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击.器件和组件

2022-04-27

现行

IEC 60749-8-2002

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 8: Sealing
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第8部分:密封

2002-08-30

现行

IEC 60749-1-2002

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 1: General
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第1部分:总则

2002-08-30

现行

KS C IEC 60749-1(2016 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제1부：일반 사항
半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-8(2016 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제8부：봉합
半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-1(2021 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제1부：일반 사항
半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

2006-11-30