制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
发布日期：
2018-09-17
实施日期：
2019-01-01
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”）的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径 50.8mm～152.4mm 氮化物半导体材料的 HVPE 设备
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地 址：北京市海淀区知春路4号
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