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High Bandwidth Memory (HBM) DRAM (HBM1, HBM2) 高带宽存储器(HBM)DRAM(HBM1、HBM2)
发布日期: 2021-02-01
HBM DRAM通过分布式接口与主机计算芯片紧密耦合。接口分为独立的通道。每个通道彼此完全独立。通道之间不一定是同步的。HBM DRAM使用广泛的接口架构来实现高速、低功耗操作。HBM DRAM使用差分时钟CK_t/CK_c。命令在CK_t、CK_c的上升沿注册。每个通道接口都保持一条128b数据总线,以DDR数据速率运行。HBM Ballout电子表格(注:此版本是JESD235D使用的最新版本)也可供设计师使用。 委员会项目1797.99L。
The HBM DRAM is tightly coupled to the host compute die with a distributed interface. The interface is divided into independent channels. Each channel is completely independent of one another. Channels are not necessarily synchronous to each other. The HBM DRAM uses a wide-interface architecture to achieve high-speed, low-power operation. The HBM DRAM uses differential clock CK_t/CK_c. Commands are registered at the rising edge of CK_t, CK_c. Each channel interface maintains a 128b data bus operating at DDR data rates. Also available for designer ease of use is HBM Ballout Spreadsheet (Note this version is the latest version for use with JESD235D). Committee item 1797.99L.
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发布单位或类别: 美国-JEDEC固态技术协会
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