KS D 0078-2008(2018)-用于测定杂质浓度的硅晶体通过光致发光光谱的测试方法-国家数字标准馆

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광발광 분광법에 의한 실리콘 결정 중의 불순물 농도 측정 방법 用于测定杂质浓度的硅晶体通过光致发光光谱的测试方法

发布日期： 2008-06-30

该标准规定了光致发光分光法测定硅单晶及多晶硅杂质浓度的方法。可测杂质元素为宝隆（B）、铝（Al）、磷（P）和砷（As），测量浓度范围为1×10 11~5×1015原子/cm3（0.002~100ppba）。非高多晶硅的情况由FZ法单晶化并制作测量样品。

이 표준은 광발광 분광법에 의한 실리콘 단결정 및 다결정 실리콘 불순물 농도의 측정 방법에 대하여 규정한다.측정 가능한 불순물 원소는 보론(B), 알루미늄(Al), 인(P) 및 비소(As)이며, 측정 농도 범위는 1×10 11~5×10 15 atoms/cm 3 (0.002~100 ppba)이다.비고 다결정 실리콘의 경우는 FZ법에 의해 단결정화하고 측정 시료를 제작한다.

分类信息

发布单位或类别：韩国-韩国标准

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

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