ISO 23812:2009-表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法 -国家数字标准馆

现行 ISO 23812:2009

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials 表面化学分析——二次离子质谱法——使用多δ层标准物质的硅深度校准方法

发布日期： 2009-04-08

ISO 23812:2009规定了使用多个delta层参考材料，在硅的SIMS深度剖面中，在深度小于50 nm的浅区域校准深度刻度的程序。
它不适用于溅射速率不稳定的表面瞬态区。
适用于单晶硅、多晶硅和非晶硅。

ISO 23812:2009 specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.
It is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.
It is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际标准化组织

ICS分类： 71.040.40分析化学 - 化学分析

关联关系

研制信息

归口单位： ISO/TC 201/SC 6

相似标准/计划/法规

BS ISO 20411-2018

Surface chemical analysis. Secondary ion mass spectrometry. Correction method for saturated intensity in single ion counting dynamic secondary ion mass spectrometry
表面化学分析二次离子质谱法单离子计数动态二次离子质谱中饱和强度的校正方法

Surface chemical analysis — Secondary ion mass spectrometry — Correction method for saturated intensity in single ion counting dynamic secondary ion mass spectrometry
表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 单离子计数动态二次离子质谱法中饱和强度的校正方法

ISO/TS 22933-2022

Surface chemical analysis — Secondary ion mass spectrometry — Method for the measurement of mass resolution in SIMS
表面化学分析.二次离子质谱法.模拟离子质谱中质量分辨率的测量方法

BS ISO 13084-2018

Surface chemical analysis. Secondary ion mass spectrometry. Calibration of the mass scale for a time-of-flight secondary ion mass spectrometer
表面化学分析二次离子质谱法飞行时间二次离子质谱仪质量刻度的校准

Surface chemical analysis — Secondary ion mass spectrometry — Calibration of the mass scale for a time-of-flight secondary ion mass spectrometer
表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 用于飞行时间二次离子质谱仪的质谱的校准

GB/T 40129-2021

表面化学分析二次离子质谱飞行时间二次离子质谱仪质量标校准
Surface chemical analysis—Secondary ion mass spectrometry—Calibration of the mass scale for a time-of-flight secondary ion mass spectrometer

BS ISO 23830-2008

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Repeatability and constancy of the relative-intensity scale in static secondary-ion mass spectrometry
表面化学分析二次离子质谱法静态二次离子质谱中相对强度标度的重复性和稳定性

GB/T 43663-2024

表面化学分析二次离子质谱静态二次离子质谱相对强度标的重复性和一致性
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Repeatability and constancy of the relative-intensity scale in static secondary-ion mass spectrometry

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Repeatability and constancy of the relative-intensity scale in static secondary-ion mass spectrometry
表面化学分析——二次离子质谱法——静态二次离子质谱中相对强度标度的重复性和稳定性

AS ISO 22048-2006

Surface chemical analysis - Information format for static secondary-ion mass spectrometry
表面化学分析.静态二次离子质谱法的信息格式

KS D ISO 22048(2020 Confirm)

표면 화학 분석－정적 이차 이온 질량 분광 분석법의 정보 포맷
表面化学分析 - 静态二次离子质谱的信息格式

Surface chemical analysis — Information format for static secondary-ion mass spectrometry
表面化学分析——静态二次离子质谱信息格式

BS ISO 22048-2004

Surface chemical analysis. Information format for static secondary-ion mass spectrometry
表面化学分析静态二次离子质谱信息格式

BS ISO 17560-2014

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of boron in silicon
表面化学分析二次离子质谱法硅中硼的深度剖面分析方法

BS ISO 12406-2010

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of arsenic in silicon
表面化学分析二次离子质谱法硅中砷的深度分析方法

GB/T 32495-2016

表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

GB/T 40109-2021

表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法

BS 10/30199193 DC

BS ISO 13084. Surface chemical analysis. Secondary ion mass spectrometry. Calibration of the mass scale for a time of flight secondary ion mass spectrometer
BS ISO 13084 表面化学分析二次离子质谱法飞行时间二次离子质谱仪质量刻度的校准

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统