现行

JB/T 8951.2-1999

绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对

1999-08-06

现行

JJG(电子) 310007-2006

绝缘栅双极型晶体管直流参数测试系统检定规程

2006-05-16

现行

T/FSI 121-2023

绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶

2023-03-31

现行

T/SZECC 001-2024

新能源车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术规范

2024-10-29

现行

T/QGCML 2891-2023

电动汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块技术规范

2023-12-27

现行

T/CI 161-2022

1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器

2022-12-15

现行

GB/T 6218-1996

开关用双极型晶体管空白详细规范
Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

1996-07-09

现行

SJ/T 10439-1993

双极型晶体管直流参数测试仪测试方法

1993-12-17

现行

T/CES 085-2021

压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范

2021-09-28

现行

SJ/T 10438-1993

双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件

1993-12-17

现行

JB 5840-1991

JA系列50A以上开关用双极型电力晶体管

1991-10-24

现行

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

1998-11-17

现行

GB/T 7577-1996

低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范
Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification

1996-07-09

现行

GB/T 6217-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section One:Blank detail speci-fication for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

1998-11-17

现行

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors

2023-09-07

现行

JB/T 6307.4-1992

电力半导体模块测试方法双极型晶体管臂和臂对

1992-06-26

现行

T/CEC 155-2018

柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求

2018-01-24

现行

MIL MIL-PRF-19500/588A

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, INSULATED GATE, BIPOLAR, N-CHANNEL, SILICON TYPE 2N7364 JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS (SUPERSEDING MIL-S-19500/588) (NO S/S DOCUMENT)
半导体器件、晶体管、绝缘栅、双极、N沟道、硅型2N7364 JAN、JANTX、JANTXV和JANS（取代MIL-S-19500/588）（无S/S文件）

1998-04-15

现行

SJ/T 10052-1991

3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管
Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507

1991-04-08

现行

SJ/T 10053-1991

3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管
Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313

1991-04-08