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砷化镓单晶 Gallium arsenide single crystal
发布日期: 2021-05-21
实施日期: 2021-12-01
本文件规定了碑化镓单品的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法 (LEC) 、垂直梯度凝固法 (VGF) 、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的碑化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的碑化镓单晶
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