GB/T 37051-2018-太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法-国家数字标准馆

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太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

发布日期： 2018-12-28

实施日期： 2019-04-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司

起草人：李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏

相似标准/计划/法规

ISO 5618-2-2024

Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for GaN crystal surface defects — Part 2: Method for determining etch pit density
精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）GaN晶体表面缺陷试验方法第2部分:蚀坑密度的测定方法

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