集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布日期：
2022-03-09
实施日期：
2022-10-01
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验
方法、检验规则、包装、标志、运输贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向<100>、电阻
率0.1Ωcm~100Ω·cm的Low-COP抛光片
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