本标准适用于激光椭偏LEM-2显微镜，用于确定偏振光的椭圆参数，灭绝，这允许使用该设备用于测量厚度和折射率的时间通过的光学元件的旋转角度定义在各种材料的抛光表面，并且特别是透明的介电反射涂层，于半导体晶片，并以控制的区域中的均匀性和介电膜的均匀性，并确定在半导体的制造过程中蚀刻的窗口的氧化物的存在和厚度仪器

Настоящий стандарт распространяется на лазерный эллипсометрический микроскоп ЛЭМ-2, предназначенный для определения эллипсометрических параметров поляризованного света, определяемых по углам поворота оптических элементов в момент погасания, что позволяет использовать прибор для измерения толщины и показателя преломления прозрачных диэлектрических покрытий на отражающих полированных поверхностях различных материалов и, в частности, на полупроводниковых пластинах, а также для контроля равномерности и однородности диэлектрических пленок по площади и определения наличия и толщины окисла в окнах, вытравленных в процессе изготовления полупроводниковых приборов