GB/T 30453-2013-硅材料原生缺陷图谱-国家数字标准馆

现行 GB/T 30453-2013

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

硅材料原生缺陷图谱 Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

发布日期： 2013-12-31

实施日期： 2014-10-01

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片等各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷术语及其形貌特征等

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准化计量质量研究所

起草人：孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容

相似标准/计划/法规

GB/T 43612-2023

碳化硅晶体材料缺陷图谱
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统