本标准规定了半导体设备电压暂降免疫的相关术语、要求、测试方法、合格判据及测试报告等.本标准首先适用于半导体工艺设备,包括但不限于刻蚀设备(干/湿)、薄膜沉积设备 (CVD/PVD)、热处理设备、表面预处理和清洁设备、光刻设备(扫描式、步进式及投影式)--离子注入设备、度量设备、自动测试设备、化学机械抛光/平坦化设备；本标准也适用于构成半导体工艺设备的子系统和元器件,包括但不仅限于电源、-射频发生器和匹配网络、超声波发生器、计算机和通信系统、机械手和工厂接口、交流接触器线圈和交流继电器线圈、冷水机组和冷冻泵、泵和风机、可调速驱动器；本标准适用于半导体工艺设备,包括设备主机和所有子系统,这些子系统的电源直接受设备EMO(紧急切断)系统的运行影响；本标准不适用于过电压条件(电压暂升),高频脉冲事件及其它电源扰动；本标准不适用于工厂系统电压暂降免疫、电网电压暂降性能以及安全设计.主要内书内容包括半导体设备最低的电压暂降免疫要求和测试方法,测试方法部分分为测试依据、风险提示、测试条件、被测试设备的选择、多腔室测试、合格判据、合格证书及测试报告等内容.项目预研情况详见标准草案.