GB/T 4937.17-2018-半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照-国家数字标准馆

现行 GB/T 4937.17-2018

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

选择购买版本本服务由中国标准服务网提供

电子版

中文(简体)/电子版加密PDF格式/约1分钟可下载/有水印/要装插件FileOpen/电脑需联网/限制累计3台电脑共打印5次

¥ 24

纸质版

中文(简体)/纸质版/约1个工作日发快递/无授权单位水印

¥ 24

前往中国标准服务网获取更多购买信息

半导体器件机械和气候试验方法第17部分：中子辐照 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 17: Neutron irradiation

发布日期： 2018-09-17

实施日期： 2019-01-01

GB/T 4937 的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： L40电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、西北核技术研究所、中国科学院新疆理化技术研究所

起草人：席善斌、彭浩、陈伟、林东生、杨善潮、金晓明、郭旗、陆妩、崔波、陈海蓉

相似标准/计划/法规

现行

KS C IEC 60749-17(2016 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제17부：중성자 방사
半导体器件机械和气候试验方法第17部分:中子辐照

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-17

반도체 소자 — 기계 및 기후 시험방법 — 제17부：중성자 방사
半导体器件.机械和气候试验方法.第17部分:中子辐照

2021-12-29

现行

IEC 60749-17-2019

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射

2019-03-28

现行

UNE-EN 60749-17-2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -- Part 17: Neutron irradiation
半导体器件机械和气候试验方法第17部分:中子辐照

2003-11-21

现行

KS C IEC 60749(2020 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법
半导体器件机械和气候试验方法

2004-08-13

现行

SJ/Z 9016-1987

半导体器件机械和气候试验方法
Semiconductor devices--Mechanical and climatic test methods

1987-09-14

现行

GOST 28578-1990

Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания
半导体器件机械和气候试验方法

现行

KS C IEC 60749-10

반도체 소자 — 기계 및 기후적 환경 시험방법 — 제10부: 기계적 충격
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第10部分:机械冲击

2020-07-23

现行

UNE-EN 60749-10-2003

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods -- Part 10: Mechanical shock.
半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击

2003-05-30

现行

BS EN 60749-1-2003

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-General
半导体器件机械和气候试验方法

2003-07-07

现行

BS EN 60749-21-2011

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-Solderability
半导体器件机械和气候试验方法

2011-08-31

现行

BS EN 60749-8-2003

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods-Sealing
半导体器件机械和气候试验方法

2003-07-03

现行

IEC 60749-10-2022

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 10: Mechanical shock - device and subassembly
半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击.器件和组件

2022-04-27

现行

IEC 60749-8-2002

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 8: Sealing
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第8部分:密封

2002-08-30

现行

KS C IEC 60749-1(2016 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제1부：일반 사항
半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-8(2016 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제8부：봉합
半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-1(2021 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제1부：일반 사항
半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

2006-11-30

现行

KS C IEC 60749-21

반도체 소자 — 기계 및 기후적 시험방법 — 제21부：땜질성
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第21部分:可焊性

2020-11-20

现行

KS C IEC 60749-8(2021 Confirm)

반도체 소자－기계 및 기후적 환경 시험 방법－제8부：봉합
半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封

2006-11-30

现行

IEC 60749-1-2002

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 1: General
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第1部分:总则

2002-08-30