20213174-T-339-半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验-国家数字标准馆

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半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

下达日期： 2021-08-24

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准计划

CCS分类： L55电子元器件与信息技术 - 微电路 - 微电路综合

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学

起草人：高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬

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