GB/T 26068-2010-硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法-国家数字标准馆

被代替 GB/T 26068-2010

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

发布日期： 2011-01-10

实施日期： 2011-10-01

废止日期： 2019-11-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

起草单位：有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司

起草人：曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯

相似标准/计划/法规

GB/T 42907-2023

硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法
Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor

GB/T 26068-2018

硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法
Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统