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辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
发布日期：
2022-12-31
实施日期：
2023-01-31
主要技术内容:本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱测试辐射诱生缺陷的方法和程序。本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试
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