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低衰减晶体硅光伏组件
发布日期：
2021-09-08
实施日期：
2021-09-10
范围:本文件适用于低衰减单晶硅和多晶硅光伏组件。
本文件不适用于薄膜光伏组件以及特殊设计类如光伏幕墙和聚光光伏组件;
主要技术内容:本文件规定了低衰减晶体硅光伏组件的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存等内容
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
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开放时间：每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：北京市海淀区知春路4号
乘车线路：乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
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