T/CASAS 004.1-2018-4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语-国家数字标准馆

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4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

发布日期： 2018-11-20

实施日期： 2018-11-20

主要技术内容:由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准

分类信息

发布单位或类别：中国-团体标准

CCS分类： H20/29冶金 - 金属理化性能试验方法

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草单位：东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院

起草人：孙国胜、杨霏、柏松、许恒宇、李诚瞻、高玉强、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙

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