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300 mm低氧含量直拉硅单晶
发布日期：
2024-02-06
实施日期：
2024-02-06
主要技术内容:本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底
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地 址：北京市海淀区知春路4号
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