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起草单位: 东莞市天域半导体科技有限公司
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T/CASAS 003-2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
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T/IAWBS 002-2017
碳化硅外延片表面缺陷测试方法
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2017-12-20
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T/CASAS 002-2021
宽禁带半导体术语
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2021-03-08
CCS分类：D00/09矿业综合
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T/CASAS 004.1-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
现行
T/CASAS 004.2-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
现行
DL/T 2310-2021
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
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Acceptance specification for silicon carbide epitaxial wafer of high voltage power devices in the grid system
发布单位或类别：行业标准-电力
发布日期： 2021-04-26
废止
T/IAWBS 005-2018
6 英寸碳化硅单晶抛光片
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-12-06
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