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现行
GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
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Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2017-10-14
CCS分类：
H25金属化学性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 35305-2017
太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
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Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2017-12-29
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
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Polycrystalline indium phosphide
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2018-09-17
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
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Collection of metallographs on defects of germanium crystal
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2018-12-28
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 26072-2010
太阳能电池用锗单晶
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Germanium single crystal for solar cell
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2011-01-10
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 20228-2021
砷化镓单晶
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Gallium arsenide single crystal
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2021-05-21
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
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GaP substrates for LED epitaxial chips
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2014-07-24
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底
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GaAs substrates for LED epitaxial chips
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2014-07-24
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
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