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现行
SJ/T 11029-2015
电子器件用金镍纤料的分析方法 EDTA容量法测定镍
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Analytical methods for gold nickel brazing for electron device Determination of nickel by EDTA volumetry
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-10-10
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.030电子技术专用材料
现行
SJ/T 11018-2016
电子器件用纯银钎料的分析方法 燃烧碘量法测定硫
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Analytical methods for pure silver brazing for electron device Determination of sulphur by combustion-iodimetry
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2016-01-15
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.030电子技术专用材料
现行
SJ/T 11519-2015
电子连接用镀锡铜线规范
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Specification for tinned copper wire of electronic connection used
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.030电子技术专用材料
现行
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
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Sapphire single crystal polished wafers specification
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
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Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法
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Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
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Determination of boron concentration in gallium arsenide by infrared absorption
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
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Guide to conversion factors for interstitial oxygen in silicon
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
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Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
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Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
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