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现行
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
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Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-11-27
现行
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
正在起草
20240494-T-469
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
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Test method for stacking faults of polished silicon carbide single crystal wafers
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2024-03-25
CCS分类：
正在起草
20241932-T-469
碳化硅单晶
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Monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2024-06-28
CCS分类：
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