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标准号
发布时间
现行
T/CASAS 026-2023
碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 032-2023
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 025-2023
8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
未生效
GB/T 44536-2024
CVD陶瓷涂层热膨胀系数和残余应力试验方法
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Test method for determining thermal expansion coefficient and residual stress of CVD ceramic coatings
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-09-29
CCS分类：
Q30陶瓷、玻璃综合
ICS分类：
81.060.30高级陶瓷
现行
GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
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Silicon carbide epitaxial wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 43894.1-2024
半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
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Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-12-28
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.080.99其他半导体分立器件
现行
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
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Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
未生效
GB/T 24578-2024
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
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Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-07-24
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
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Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-11-27
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
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