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正在批准
20213172-T-339
半导体器件 金属化空洞应力试验
Semiconductor devices – Metallization stress void test
发布单位或类别:国家标准计划
下达日期: 2021-08-24
现行
GB/T 4937.23-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 23:High temperature operating life
发布单位或类别:国家标准
发布日期: 2023-05-23
正在批准
20213174-T-339
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
发布单位或类别:国家标准计划
下达日期: 2021-08-24
CCS分类:L55微电路综合