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起草单位: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
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标准号
发布时间
现行
T/NXCL 016-2022
200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2022-12-02
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/NXCL 29-2024
300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-02-06
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/NXCL 30-2024
300 mm低氧含量直拉硅单晶
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-02-06
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/NXCL 017-2022
300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2022-12-02
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/CIET 723-2024
半导体CMP抛光材料技术规范
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-10-23
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
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Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2022-03-09
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
正在征求意见
20231107-T-469
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
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Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers —Interstitial oxygen reduction
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20231113-T-469
半导体晶片直径测试方法
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Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在起草
20240496-T-469
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
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Practice for determining semiconductor wafers near-edge geometry—Part 2: Roll-off Amount（ROA）
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2024-03-25
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在起草
20243061-T-469
300 mm硅外延片
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300 mm silicon epitaxial wafer
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2024-09-29
CCS分类：
ICS分类：
29.045半导体材料
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
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