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发布时间
被代替
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
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Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2011-01-10
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
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Monocrystalline silicon polished wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2003-06-16
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
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Carbon-carbon composites crucible used in single crystal furnace
发布单位或类别：
行业标准-有色金属
发布日期：
2012-11-07
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 6620-2009
硅片翘曲度非接触式测试方法
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Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 14140-2009
硅片直径测量方法
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Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 19922-2005
硅片局部平整度非接触式标准测试方法
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Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2005-09-19
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
现行
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
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Test methods for bow of silicon wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 19444-2004
硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
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Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2004-02-05
CCS分类：
H26金属无损检验方法
ICS分类：
29.040绝缘流体
现行
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
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practice for shallow etch pit detection on silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2011-01-10
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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