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现行
SJ 20516-1995
金电镀层纯度分析方法
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Analytical method of the purities for electrode-posited gold coating
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
A29材料防护
ICS分类：
现行
SJ 50033/28-1994
半导体分立器件 ２ＣＶ３３４、２ＣＶ３３３８型微带混频二极管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for stripline mixer diodes for 2CV334,2CV3338
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L41半导体二极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/27-1994
半导体分立器件 ２ＥＣ６００系列砷化镓变容二极管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for GaAs varactor diodes for 2EC600 series
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L41半导体二极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/107-1996
半导体分立器件2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范
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Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621,2EY622,2EY623
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1996-08-30
CCS分类：
L41半导体二极管
ICS分类：
现行
SJ 20610-1996
微波电路 微波开关测试方法
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Microwave circuits--Measuring methods for microwave switches
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1996-08-30
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
作废
SJ 20611-1996
微波电路 固态噪声源测试方法
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Microwave circuits--Measuring methods for solid noise sources
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1996-08-30
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
现行
SJ 50033.54-1994
半导体分立器件CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0532 GaAs microwave power field effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 50033.52-1994
半导体分立器件CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 50033.49-1994
半导体分立器件2CJ4220系列阶跃二极管详细规范
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Semiconductor discrete device Detail specification for step recovery diodes for 2CJ4220 series
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L41半导体二极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/108-1996
半导体分立器件2EY5671、2EY5672型体效应二极管详细规范
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Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY5671,2EY5672
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1996-08-30
CCS分类：
L41半导体二极管
ICS分类：
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
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