登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草单位: 苏州纳维科技有限公司
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(7)
标准组织
全部
国家标准(7)
发布年代
全部
2024(1)
2022(1)
2018(2)
2015(3)
标准状态
全部
现行(6)
未生效(1)
ICS
全部
29电气工程(1)
77冶金(6)
CCS
全部
H冶金(7)
展开全部分类
排序结果：
相关性
标准号
发布时间
现行
GB/T 32188-2015
氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
The method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2015-12-10
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 32189-2015
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2015-12-10
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2018-12-28
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 41751-2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2022-10-12
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 36705-2018
氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2018-09-17
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 32282-2015
氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2015-12-10
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
未生效
GB/T 44558-2024
III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-09-29
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆
搜索
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
️版权归中国标准化研究院所有