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CCS
全部
H冶金(159)
展开全部分类
排序结果：
相关性
标准号
发布时间
现行
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2017-12-20
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/HBX 005-2018
钠钙硅玻璃杯
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-04-01
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
81.040.30玻璃产品
现行
T/HBX 006-2018
钠钙硅高脚玻璃杯
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-04-01
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
81.040.30玻璃产品
现行
T/CSTM 01199-2024
多层金属薄膜 层结构测量分析方法 X射线光电子能谱
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-01-05
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
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Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2012-12-31
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/CI 465-2024
质量分级及“领跑者”评价要求 多晶硅
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-08-15
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
03.120.01质量综合
现行
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
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Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2013-05-09
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
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Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
作废
ГОСТ 25284.8-84
Сплавы цинковые. Метод определения кремния
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锌合金 硅的测定方法
发布单位或类别：
俄罗斯国家标准
发布日期：
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
77.120.60铅、锌、锡及其合金
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
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