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排序结果：
相关性
标准号
发布时间
现行
SJ 50033/38-1994
半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for types CS4856~CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
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Semiconductor devices-Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-04-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
31.080.30三极管
废止
GB/T 15450-1995
硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
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Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1995-01-05
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
31.080.99其他半导体分立器件
现行
SJ 20016-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１８２型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20015-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon high-frequency low-power transistor for type 3DG130 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20014-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＣＧ１１０型ＰＮＰ硅小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20013-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20012-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20011-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
作废
SJ/T 11059-1996
电子元器件详细规范 ＣＳ４２２０Ａ型单栅Ｎ沟结型场效应晶体管（可供认证用）
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Detail specification for electronic components--N-channel single-gate junction type field-effect transistor,Type CS422OA (Applicable for certification)
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1996-11-20
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
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