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GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
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GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
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Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
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GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
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Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2007-09-11
被代替
GB/T 2881-2008
工业硅
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Silicon metal
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2008-03-31
CCS分类：H81半金属
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GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 14139-2009
硅外延片
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Silicon epitaxial wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
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Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 12963-2009
硅多晶
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Specification for polycrystalline silicon
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
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Zone-refined germanium ingot
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2006-07-18
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