登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草人: 丁雄杰
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(15)
标准组织
全部
国家标准(11)
团体标准(4)
发布年代
全部
2024(4)
2023(10)
2021(1)
标准状态
全部
现行(13)
未生效(2)
ICS
全部
01综合、术语学、标准化、文献(1)
29电气工程(2)
31电子学(3)
77冶金(5)
81玻璃和陶瓷工业(1)
CCS
全部
D矿业(1)
H冶金(7)
L电子元器件与信息技术(3)
Q建材(1)
展开全部分类
排序结果：
相关性
标准号
发布时间
现行
T/CASAS 026-2023
碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 032-2023
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 002-2021
宽禁带半导体术语
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2021-03-08
CCS分类：
D00/09矿业综合
ICS分类：
01.020术语学(原则和协调配合)
现行
T/CASAS 025-2023
8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
未生效
GB/T 44536-2024
CVD陶瓷涂层热膨胀系数和残余应力试验方法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for determining thermal expansion coefficient and residual stress of CVD ceramic coatings
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-09-29
CCS分类：
Q30陶瓷、玻璃综合
ICS分类：
81.060.30高级陶瓷
现行
GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Silicon carbide epitaxial wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 43894.1-2024
半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-12-28
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.080.99其他半导体分立器件
现行
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
未生效
GB/T 24578-2024
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-07-24
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆
搜索
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
️版权归中国标准化研究院所有