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现行
SJ 3249.3-1989
半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法
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Methods of measurement for chromium concentration in semi-insulation Gallium arsenide by infra-red absorption
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1989-03-20
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ 20744-1999
半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
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General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1999-11-10
CCS分类：
ICS分类：
被代替
GB/T 14143-1993
300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
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300～900μm Silicon slices—Measuring of interstitial oxygen content—Infrared absorption method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1993-02-06
CCS分类：
H26金属无损检验方法
ICS分类：
31.200集成电路、微电子学
被代替
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11319-2005
锡焊料动态条件氧化渣量定量试验方法
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Quantity test method of the oxidation sludge in the tin solder
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2005-06-28
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
25.160.50钎焊和低温焊
现行
SJ/T 11519-2015
电子连接用镀锡铜线规范
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Specification for tinned copper wire of electronic connection used
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.030电子技术专用材料
现行
SJ/T 11505-2015
蓝宝石单晶抛光片规范
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Sapphire single crystal polished wafers specification
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
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Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ/T 11497-2015
砷化镓晶片热稳定性的试验方法
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Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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