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发布时间
现行
T/CASAS 026-2023
碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 003-2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/IAWBS 002-2017
碳化硅外延片表面缺陷测试方法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2017-12-20
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/CASAS 032-2023
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
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团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 004.1-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
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团体标准
发布日期：
2017-12-20
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/CASAS 025-2023
8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 004.2-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
DL/T 2310-2021
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
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Acceptance specification for silicon carbide epitaxial wafer of high voltage power devices in the grid system
发布单位或类别：
行业标准-电力
发布日期：
2021-04-26
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
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Silicon carbide epitaxial wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
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6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
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赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
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