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起草人: 吴道荣
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GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
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Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 1553-1997
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
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Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1997-06-03
被代替
GB/T 4058-1995
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
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Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1995-04-18
被代替
GB/T 1554-1995
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
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Test method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1995-04-18
被代替
GB/T 13389-1992
掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
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Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 1992-02-19
被代替
GB/T 24582-2009
酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定　多晶硅表面金属杂质
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Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
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