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起草人: 房玉龙
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T/CASAS 003-2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
现行
T/SDEA 003-2022
大型调水工程渠道管理和维修养护规范
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-11-23
CCS分类：
ICS分类：93.160水利建筑
现行
T/SDEA 001-2022
大型调水工程泵站管理和维修养护规范
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-11-23
CCS分类：
ICS分类：93.160水利建筑
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T/CASAS 004.1-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
现行
T/SDEA 002-2022
大型调水工程平原水库管理 和维修养护规范
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-11-23
CCS分类：
ICS分类：93.160水利建筑
现行
T/CASAS 004.2-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-11-20
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GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
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GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
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Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-11-27
现行
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
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