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发布时间
现行
SJ 20744-1999
半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
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General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1999-11-10
CCS分类：
ICS分类：
被代替
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
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Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2003-06-16
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ 3242-1989
砷化镓外延片
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Gallium arsenide epitaxy wafers
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1989-03-20
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
现行
SJ 20844-2002
半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
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Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal gallium arsenide
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
被代替
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
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Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1997-12-22
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
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Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1997-06-17
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ/T 10625-1995
锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法
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Determination method for interstital atomic oxygen content of germanium by infrared abaorption
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-04-22
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
77.040金属材料试验
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