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SJ 21379-2018
电迁移效应测试方法
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Test method for electromigration effect
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21384-2018
氧化层可动电荷的电容-电压测试方法
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Test method of capacitance-voltage for mobile ion charge of oxides
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21383-2018
P-N结隔离测试方法
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Test method for P-N junction isolation
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21382-2018
离子注入均匀性测试方法
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Test method for the ion implantation uniformity
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21381-2018
时间相关介质击穿(TDD8)测试方法
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Test method for time dependent dielectric breakdown ( TDDB)
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21380-2018
热载流子效应测试方法
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Test method of hot carrier effect
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
GB/T 42835-2023
半导体集成电路 片上系统（SoC）
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Semiconductor integrated circuits—System on chip(SoC)
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
31.200集成电路、微电子学
现行
GB/T 35003-2018
非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
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Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2018-03-15
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
31.200集成电路、微电子学
现行
GB/T 43453-2023
模拟/混合信号知识产权（IP）核文档结构指南
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Guideline for analog/mix-signal intellectual property(IP) core document structure
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-12-28
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
31.200集成电路、微电子学
现行
GB/T 42974-2023
半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）
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Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-09-07
CCS分类：
L56半导体集成电路
ICS分类：
31.200集成电路、微电子学
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
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