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废止

GB/T 14863-2013

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

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Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

发布单位或类别：国家标准

发布日期： 2013-12-31

CCS分类：H80半金属与半导体材料综合

ICS分类：29.045半导体材料

现行

GB/T 29850-2013

光伏电池用硅材料补偿度测量方法

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Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications

发布单位或类别：国家标准

发布日期： 2013-11-12

CCS分类：H82元素半导体材料

ICS分类：29.045半导体材料

国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。

1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。

2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。

3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。

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5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。

6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。

开放时间：每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）

地　　址：北京市海淀区知春路4号

乘车线路：乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。

赵老师电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

出版物经营许可证：新出发京批字第直170229号

地址：北京市海淀区知春路4号

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