首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
国家标准 行业标准 地方标准 团体标准 国际（区域）标准 国外国家标准 国际性专业标准 技术法规
国内舆情 国际舆情
文献服务 知识服务 服务站点
标准数字化 技贸措施研究
国家标准馆 国家数字标准馆 发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草人: 郑红军
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(23)
标准组织
全部
团体标准(16)
国家标准(6)
电子(1)
发布年代
全部
2024(3)
2023(2)
2022(2)
2020(1)
2019(6)
2018(3)
2017(1)
2015(3)
2014(2)
标准状态
全部
现行(21)
废止(1)
被代替(1)
ICS
全部
01综合、术语学、标准化、文献(1)
29电气工程(18)
77冶金(4)
CCS
全部
C医药、卫生、劳动保护(1)
H冶金(18)
J机械(1)
L电子元器件与信息技术(1)
展开全部分类
  • 排序结果：
  • 相关性
  • 标准号
  • 发布时间
现行
T/ZSA 4-2019
中关村标准涉及专利处置规则
到馆提醒
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-05-31
现行
T/IAWBS 007-2018
4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-12-06
现行
T/IAWBS 018-2022
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
到馆提醒
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-12-15
CCS分类：
现行
T/IAWBS 011-2019
导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-12-27
现行
T/IAWBS 020-2024
碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法
到馆提醒
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2024-02-27
现行
T/IAWBS 017-2022
金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
到馆提醒
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-12-15
CCS分类：
现行
T/IAWBS 013-2019
半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-12-27
现行
T/IAWBS 006-2018
碳化硅混合模块测试方法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-12-06
现行
T/IAWBS 010-2019
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-12-27
现行
T/IAWBS 008-2019
SiC晶片的残余应力检测方法
到馆阅读
收藏跟踪
发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-12-27
  • 关于国家数字标准馆
  • 《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。
    • 文献服务
  • 查标准
  • 看标准
  • 买标准
  • 译标准
    • 知识服务
  • 查新颖性
  • 查有效性
  • 跟踪标准
  • 比对标准
    • 标准数字化
  • 专题数据库
  • 标准管理系统
  • 大数据分析系统
  • 标准智能研制系统
    • 出版物经营许可证：新出发京批字第直170229号
    地址：北京市海淀区知春路4号
    邮箱：service@cnis.ac.cn
    技术支持与订单查询：010-58811972/1360/1341/1328 京ICP备10046988号-46
    ️版权归中国标准化研究院所有