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起草人: 郝建民
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SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
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Test method for determining crystal type of monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
SJ 20714-1998
砷化镓抛光片亚损伤层的X射线双晶衍射试验方法
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Test method for sub-surface damege of gallium arsenide polished wafer by X-ray double crystal diffraction
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1998-03-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
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Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2014-07-24
现行
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
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Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2014-07-24
现行
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
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Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2014-07-24
现行
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
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Test method for measuring crystallographic orientation of monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
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