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GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
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Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
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Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
GB/T 39145-2020
硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
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Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2020-10-11
现行
YS/T 15-2015
硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
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Test method for thickness of epitaxial layers and diffused layers by angle lap stain
发布单位或类别：行业标准-有色金属
发布日期： 2015-04-30
现行
YS/T 23-2016
硅外延层厚度测定　堆垛层错尺寸法
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Test method for thickness of epitaxial layers—Stacking fault size
发布单位或类别：行业标准-有色金属
发布日期： 2016-04-05
现行
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
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Designations of semiconductor materials
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2018-12-28
现行
YS/T 24-2016
外延钉缺陷的检验方法
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Test methods for spike of epitaxial layers
发布单位或类别：行业标准-有色金属
发布日期： 2016-04-05
现行
YS/T 14-2015
异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
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Test method for thickness of heteroepitaxy layers and polycrystalline layers
发布单位或类别：行业标准-有色金属
发布日期： 2015-04-30
现行
GB/T 14142-2017
硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
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Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2017-09-29
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  • 《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。
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