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现行
T/CIE 148-2022
阻变存储单元电学测试规范
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2022-12-31
正在批准
20213173-T-339
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
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Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2021-08-24
CCS分类：L55微电路综合
正在批准
20210839-T-339
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
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Semiconductor devices - Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2021-04-30
CCS分类：L55微电路综合
正在批准
20213174-T-339
半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
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Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2021-08-24
CCS分类：L55微电路综合
正在批准
20213175-T-339
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验
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Semiconductor devices – Stress migration test - Part 1: Copper stress migration test
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2021-08-24
CCS分类：L55微电路综合
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