반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

2016-12-29

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调节二极管

2016-12-29

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения
半导体器件 离散设备 信号（包括开关）和稳压二极管

Semiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
半导体器件第3部分:分立器件:开关稳压二极管

2013-07-09

半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes

1995-07-24

Semiconductor devices-Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes
半导体器件

2015-04-30

반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范

2006-12-11

半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes

2000-10-17

BS EN 60747-3. Semiconductor devices. Part 3. Signal (including switching diodes) and regulator diodes
英国标准EN 60747-3 半导体器件 第三部分 信号（包括开关二极管）和调节器二极管

2010-07-13

Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal diodes and regulator diodes; identical with IEC 60747-3:1985
半导体器件；分立器件；第3部分:信号二极管和调节二极管；与IEC 60747-3:1985相同

1992-04-01

개별 반도체 소자 및 집적 회로— 제5-3부: 광전 소자 — 측정 방법
分立半导体器件和集成电路 - 第5-3部分:光电器件 - 测量方法

2020-12-24

半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法
Discrete semiconductor devices and integrated circuits--Part 5-3:Optoelectronic devices--Measuring methods

2003-11-24

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды, за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
半导体器件 离散设备 信号（包括开关）和稳压二极管 第2节电压调节器二极管和电压参考二极管的空白详细规范 不包括温度补偿精密参考二极管

Draft Document - Semiconductor devices - Part 3: Signal (including switching diodes) and regulator diodes (IEC 47E/395/CD:2010)
文件草案.半导体器件.第3部分:信号（包括开关二极管）和调节二极管（IEC 47E/395/CD:2010）

2010-11-01

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号（包括开关）和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管） 空白详细规范
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

2002-12-04

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Signal diodes, switching diodes and controlled avalanche diodes
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管

1986-11-15

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

2006-12-11

半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes)，ambient and case-rated，up to 100A

1998-11-17